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爱游戏app:未来以SiC为核心的800V强电系统等领域迎来规模化发展。

作者爱游戏官网登录 来源:爱游戏官网在线时间:2022-08-19 11:02:58

  据TrendForce数据显示,随着电动车渗透率不断升高,以及整车架构朝800V高压方向迈进,预估2025年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。可见,未来几年SiC功率器件将随着汽车电动化及800V高压平台的大规模上车,进入快速爆发阶段。

  这也是电动汽车为什么要上800V的原因所在。一方面是让充电性能大幅提升,提高电池充电速度;另一方面在于提高整车运行效率,在同等电量情况下延长续驶里程。

  根据电功率公式P=UI很好理解,当前业界提高功率的路径无非就是加大电流或提升电压两种方式。

  对于未来的电动汽车平台,800V+SiC功率半导体被业界认为是“绝配”组合。实际上,硅基IGBT和MOSFET也可以满足800V的应用,之所以把800V跟SiC联系在一起,主要是基于技术层面的考量。

  相比硅基IGBT,SiC器件体积更小、功率密度高、耐压强,应用在800V平台中能够产生更高的系统优势,可以达到充电快和续航里程远的综合效益。

  800V电压系统需要1200V的耐压功率芯片,1200V器件选用SiC为衬底做MOSFET和Si衬底的IGBT对比能提高6%-8%的整车效率。因此,SiC正成为800V高压快充平台应用的最优选项,SiC时代迎来目前最正确的打开方式。

  有数据预测,从系统布局、架构和整个市场综合来看,预计到2025年,800V SiC可能会有15%左右的市场占有率。同时因全球汽车电动化提速,这一预想的时间节点可能提前到来。

  800V高压平台将是未来新能源汽车重要发展趋势之一。行业厂商和国家政策层面都在快速推进高压平台和充电桩等基础设施的快速建设。未来两三年内,800V高压快充技术将得到大范围普及应用。

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